处于此次地震中心的熊本位于日本九州岛，九州岛正是日本集半导体产业的重要生产基地。其中，三菱电机的熊本工厂是该公司功率半导体元件前端制造的主要基地，还主要负责IGBT模块的生产。而三菱电机福冈工厂负责功率半导体元件的后端制造，以及碳化硅晶圆的加工。碳化硅功率半导体元件现被广泛应用于汽车、工业设备、消费电子产品、电器铁路和基础设施等诸多的领域。

  IGBT功率半导体是业界公认的，发展最迅速的新型功率器件，在能源、轨道交通、工业电子与汽车电子中扮演着关键角色，这些领域对于可靠性要求非常高。而作为替代传统硅基IGBT的电力电子器件的碳化硅器件产业，近些年来发展迅速，相关产品和应用不断涌现。正如行业内的专家所讲，碳化硅器件具备两大明显优势：一方面开关频率很高，另一方面可以在高温环境下工作。高开关频率意味着节能和高效，耐高温特性具有潜力去除或减少对冷却系统的依赖。2014年我国IGBT市场规模达到了70.3亿元，同比增长14.2%。

  目前我国市场需求的IGBT新型电力电子器件90%主要依赖进口，国内市场主要被欧美、日本企业所垄断。而中国IGBT较为落后，目前国内技术能力最强的是上海先进（ASMC），IGBT的晶圆源头90%来自ASMC，其技术主要是平面型、PT和NPT，先进的沟槽型和FS型较差。通过对比让国人重新认识到我们与日本等发达国家在半导体产业方面的差距。