大面积碳化硅陶瓷膜层化学气相沉积（CVD）技术

光刻机等集成电路关键制造装备中某些高性能光学元件对材料制备有着苛刻的要求，不仅要求材料具有高的稳定性，还需满足某些特定的光学性能要求。反应烧结碳化硅经抛光后其面型精度高，但是该材料是由碳化硅和游离硅组成的两相材料，在研磨抛光等过程各相的去除速率不一致，无法达到更高的面型精度，因此无法满足特定光学部件性能要求。

采用反应烧结碳化硅基体结合化学气相沉积碳化硅(CVDSiC)膜层的方法制备高性能反射镜，通过优化先驱体种类、沉积温度、沉积压力、反应气体配比、气体流场、温度场等关键工艺参数，可实现大面积、均匀CVDSiC膜层的制备，使反射镜镜面精度可接近国外同类产品性能指标。