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常见的结构陶瓷及其应用领域盘点[ 11-04 17:18 ]
先进陶瓷按种类可分为结构陶瓷和功能陶瓷。功能陶瓷主要基于材料的特殊功能,具有电气性能、磁性、生物特性、热敏性和光学特性等特点,主要包括绝缘和介质陶瓷、铁电陶瓷、压电陶瓷、半导体及其敏感陶瓷等;结构陶瓷主要基于材料的力学和结构用途,具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、抗氧化等特点,主要用于切削工具、模具、耐磨零件、泵和阀部件、发动机部件、热交换器、生物部件和装甲装备等,主要材料有氮化硅、碳化硅、二氧化锆、碳化硼、二硼化钛、氧化铝和赛隆等。
光电储能领域中应用优势明确,碳化硅器件渗透率快速提升[ 10-15 17:03 ]
光伏、风电和储能逆变器曾普遍采用硅器件,经过40多年的发展,转换效率和功率密度等已接近理论极限。基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,却是系统能量损耗的主要来源之一。碳化硅器件可应用于风电整流器、逆变器、变压器,降低能损和提高效率的同时可以使得质量和成本分别减少25%和50%。 储能产业链发展布局,碳化硅市场空间进一步打开。随着光电、风电等具有间接性、波动性等特点的可再生资源占比逐步提升,社会对能源稳定性提出了更高要求,储能成为解决能源波动性问题和电力系统供需匹配问题的关键,具有巨大市场潜力,碳化硅
电动车领域新应用不断出现,汽车厂商积极启用碳化硅战略[ 10-14 16:02 ]
电动汽车行业是市场空间巨大的新兴市场,随着电动汽车的发展,对功率半导体器件需求量日益增加。 电动车规模上量800V高压快充平台,平台搭载碳化硅共同发力。随着续航问题逐渐成为电动车发展的重心,高压快充已是大势所趋,利于充电性能和整车运行效率大幅提升的800V快充平台加速布局,其研发对电机的绝缘性和耐高温性提出了较高要求,相比于已达到材料极限的硅基IGBT,碳化硅凭借其体积小、耐高温和耐高压的优势,更有利于提升空间利用率与功率效率,具有更高综合效益。 800V高压快充平台发展受重,推动汽车续航与整车效率提高
高压高功率领域优势突出,SIC功率器件市场广阔[ 10-13 17:00 ]
碳化硅功率器件替代优势明显,在高压高功率领域性能强劲。功率器件是电力电子行业的重要基础元器件之一,作用是实现对电能的处理、转换和控制,主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,根据科锐和应用材料公司官网数据显示,相较于硅基功率器件,碳化硅基MOSFET尺寸可以减少为同电压硅基MOSFET的十分之一,能量损耗可以减少为同开关频率硅基IGBT的30%。 SiC功率器件下游应用广泛,市场快速放量。得益于优异的能源转换效率,碳化
北方华创:SiC长晶炉设备领域龙头[ 10-12 14:26 ]
据慧博资讯公众号介绍:北方华创公司主要从事半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务,主要产品为电子工艺装备和电子元器件,是国内主流高端电子工艺装备供应商,也是重要的高精密电子元器件生产基地。经过多年的发展,公司在电子工艺装备及电子元器件领域构建了坚实的技术基础,形成了以共性核心技术为基础、产品种类多、应用领域广的平台型业务体系,打造了专业的技术和管理团队,具有较强的核心竞争能力。8寸碳化硅长晶炉已完成研发,并进入客户端,碳化硅长晶炉设备订单饱满,预计2022年出货将超500台,已成为国内主流客户的首选产品。
露笑科技:碳化硅衬底产能加速扩张[ 10-11 11:02 ]
据慧博资讯公众号介绍:露笑科技公司是国内最早研发6英寸SiC晶圆的单位之一,已掌握碳化硅单晶晶体生长、切割、研磨、抛光、清洗等整体解决技术和工艺方案。2021年,公司募投“第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目”和“和大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目”,计划形成产能24万片/年生产线;2022年,公司6英寸碳化硅衬底芯片已形成销售,预计年底产能达5000片/月,2023年产能达20万片/年。
东尼电子:SiC衬底产能迅速扩张,加速国产化进程[ 10-10 17:00 ]
据慧博资讯公众号介绍:东尼电子公司从2017年开始储备研发碳化硅项目,由叶国伟博士和张忠杰博士牵头,技术由企业自主研发并已获得认可,打样送检结果良好。2021年,公司总投资4.69亿元,聚焦碳化硅半导体材料生产,计划达产12万片/年,目前已有50余台长晶炉完成安装调试,约100台长晶炉正在安装调试阶段,上述长晶炉及配套切磨抛设备全部安装完成后,预计形成6万片/年的产能。
士兰微:IDM龙头,快速上量SiC芯片生产线[ 10-09 15:57 ]
据慧博资讯公众号介绍:士兰微公司作为IDM龙头厂商,具有12英寸特色工艺产线,目前已加大SiC器件研发投入,快速上量SiC芯片生产线,大力发展车规级SiC功率半导体。2021年,公司SiC功率器件中试线通线,目前已完成车规级SiCMOSFET器件研发,即将进行客户验证并投入量产;2022年7月,公司拟投资15亿元建设SiC功率器件生产线,聚焦于新能源汽车电动模块车规级SiC功率器件生产,计划形成年产产能14.4万片6英寸SiC功率器件芯片生产线。此外,公司在厦门士兰明镓公司所建设的6英寸SiC功率器件芯片生产线预计
时代电气:奋力迈进SiC自主研发道路,高压电驱平台突破[ 10-08 14:52 ]
据慧博资讯公众号介绍:时代电器公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地,掌握了具有核心自主知识产权的MOSFET芯片及SBD芯片的设计与制造技术,构建了全套特色先进碳化硅工艺技术的4英寸及6英寸兼容的专业碳化硅芯片制造平台,全电压等级MOSFET及SBD芯片产品可应用于新能源汽车、轨道交通、工业传动等多个领域。2021年,该公司推出碳化硅大功率电驱平台C-Power220;2022年4月,公司实施碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目,总投资4.62亿元,将公司平面栅碳化硅MOSFET芯片技术
天岳先进:SiC衬底提升速度快,获得大规模订单,有望进入车规应用[ 10-07 16:50 ]
据慧博资讯公众号介绍:天岳先进掌握碳化硅衬底制作核心技术,批量供应下游核心客户。2021年,公司募投项目“碳化硅半导体材料项目”投入建设,聚焦6英寸导电型碳化硅衬底材料生产,计划2022年第三季度实现第一期项目投产,预计2026年达产且达产产能为30万片/年;2022年4月,公司发布公告披露公司已通过IATF16949:2019车规级认证,公司有望进入车规领域,进一步拓展碳化硅产品在汽车领域的应用市场;2022年7月,公司发布关于签订重大合同公告,公司获得约14亿元6英寸导电型碳化硅衬底产品
斯达半导:SiC车规主驱模块性能领先,加码布局碳化硅功率芯片[ 10-06 10:46 ]
据慧博资讯公众号介绍:斯达半导近期多次加码布局碳化硅功率芯片。2021年8月公司宣布投资5亿元在SiC芯片研发及产业化项目;2021年3月公司宣布投资20亿元与高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目。斯达微电子目前在600V/650V、1200V、1700V等中低压IGBT芯片已经实现国产化。拟采用先进技术和设备,实施SiC芯片研发及产业化项目,产品由企业自主研发,各项指标均达到国外同类产品技术要求,部分指标优于进口产品。公司用于新能源汽车的车规级SiC模块获国内外多家著名车企和Tier1客户的项目定点,
三安光电:最大SiC投资,IDM现有工厂叠加衬底自供布局[ 10-05 15:42 ]
据慧博资讯公众号消息:三安光电具备全国第一条碳化硅垂直整合产业链,在碳化硅下游市场取得多点突破。2019年,三安集成与美的成立第三代半导体联合实验室,聚焦GaN、SiC功率器件芯片与IPM应用电路相关研发;2020年,公司收购北电新材,拓展碳化硅衬底和外延市场;2021年,湖南三安半导体基地投产,总投资160亿元,配套6英寸碳化硅达产产能36万片/年,预计达产后实现销售额120亿元/年,2021年底产能3k片/月,预计2022年年底达产,此外,公司碳化硅MOSFET工业级产品已处于客户验证阶段,碳化硅MOSFET车
平顶山半导体产业园开建,碳化硅半导体材料核心设备正式进场[ 10-04 16:37 ]
据微电子制造公众号消息:9月28日,碳化硅半导体材料核心设备正式进场。这为碳化硅半导体材料示范线项目投产达效迈出了最关键一步。 半导体产业是国家重点支持的战略性新兴产业,碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优良性能,适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率的电子器件,在光电子和微电子、5G基站、新能源汽车、光伏、风电、高铁、快充等领域有着很大应用潜力。 据介绍,碳化硅半导体材料项目投产后,将带动周边半导体品圆制造配套的上下游企业,包括石墨件深加工行业、半导体装备行
基本半导体完成数亿元C4轮融资,加速碳化硅规模产业化进程[ 10-03 10:34 ]
据新材料在线公众号消息:日前,深圳基本半导体有限公司(下文简称“基本半导体”)宣布已完成数亿元C4轮融资,本轮融资由德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资,以及现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。 基本半导体表示,本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力,提升产能规模,支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用,全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。 公开资料显示,深圳基本半导体有限公司是一家专业从事碳化硅功率器件
黄河旋风碳化硅切割专用金刚线研制成功并投放市场[ 09-30 14:18 ]
近日,河南黄河旋风股份有限公司碳化硅切割专用金刚线锯研发取得突破,经多家客户使用,其产品性能已完全达到甚至超过日本同类产品水平,不论在切割效率、切割质量还是切割稳定性,均全面优于现有砂浆切割水平。 近年来,以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体产业发展迅猛,国家高度重视,企业积极布局,整个行业呈现爆发式的增长势头。碳化硅材料作为第三代半导体之一,具有优异的性能,同时也具有难加工的特点,其超高的硬脆性特点导致加工难度大、风险高、效率低、良品率不高,尤以切割为难点。目前市场上主要以金刚石砂浆切割为主,切割速度慢,效
从2英寸到8英寸 碳化硅晶片“芯”成本下降[ 09-29 16:13 ]
碳化硅器件市场增长背后,是十年来中国半导体企业从材料到装备到芯片、器件的全链条布局。 在国内最大的碳化硅材料产业基地,一张张薄薄的碳化硅晶片一字排开,这些晶片厚度不足0.5毫米,直径从2英寸、4英寸到8英寸,是先进的第三代半导体材料。 晶片的尺寸和质量,直接影响着下游的碳化硅器件的成本和性能。尺寸越大,成本就越低。十年前,中国电科旗下的这家企业对2英寸碳化硅晶片还处在研制阶段,现在,已经实现了6英寸晶片的规模化生产,年产能达到15万片,处于国内前列。今年3月,这家企业还率先发布了新一代8英寸碳化硅晶片产
从实验室样品到商用产品 核“芯”技术跑出加速度[ 09-28 17:04 ]
在江苏南京中国电科五十五所的这间展厅里,有着多种规格的碳化硅器件。它们已经在新能源车载充电装置上实现了批量应用,有了它们,新能源汽车的充电速度和整车性能都会大幅提高。 中国电子科技集团首席专家柏松接受采访时表示:新能源汽车如果用传统的第一代半导体器件,充电时间需要半个小时以上,而采用了第三代半导体碳化硅器件以后,可以实现充电10分钟行驶400公里。 柏松从事碳化硅器件的开发和应用研究已有近20年。他告诉记者,这是新能源汽车车载充电装置所需的关键元器件,2020年以前,这类器件完全依赖进口,而现在,中国电
onsemi捷克工厂将在未来两年内扩大碳化硅晶圆产能16倍[ 09-27 17:00 ]
9月21日,美国半导体供应商onsemi(安森美)宣布,其在捷克Ro?nov扩建的碳化硅工厂建成,未来两年内,该工厂的碳化硅晶圆和外延生产能力将扩大16倍。 从2019年开始,onsemi将SiC抛光晶圆和SiC外延(EPI)晶圆生产添加到其在Roznov现有的硅抛光和外延晶圆和模具制造中。去年开始重建新厂房,以进一步扩大晶圆和SiC外延制造。到目前为止,onsemi已在Roznov基地投资超过1.5亿美元,并计划追加投资3亿美元。 onsemi表示,碳化硅对于提高电动汽车(EV)、电动汽车充电和能源基
AMB陶瓷基板市场潜力巨大[ 09-26 15:55 ]
据了解,目前在AMB领域,比较领先的企业主要来自欧、日、韩,如德国的罗杰斯(RogersCorporation)、贺利氏科技集团,日本的同和控股(DOWA)、碍子株式会社(NGK)、电化株式会社(Denka)、京瓷株式会社(KYOCERACorporation)、东芝高新材料公司,韩国的KCC集团、AMOGREENTECH等。 受益于SiC新机遇,部分国际企业已在计划对AMB基板进行扩产,如东芝高新材料公司已于去年开设大分工厂,开始生产氮化硅陶瓷基板;今年2月,罗杰斯官宣布扩大德国埃申巴赫工厂AMB基板产能。
AMB陶瓷基板对SiC芯片的配套优势明显[ 09-24 17:52 ]
据了解,AMB基板铜层结合力在16N/mm~29N/mm之间,要大幅高于DBC工艺的15N/mm,更适合精密度高的陶瓷基板电路板,这一特性也使得AMB基板具备高温高频特性,导热率为DBC氧化铝的3倍以上,且使用过程中能降低SiC约10%的热阻,能提升电池效率,对SiC上车并改善新能源汽车应用有明显的提升效果。 不过,AMB工艺也还存在一些短板,其技术实现难度要比DBC、DPC两种工艺大很多,对技术要求高,且在良率、材料等方面还有待进一步完善,这使得该技术目前的实现成本还比较高,“AMB被认为是Si
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