碳化硅陶瓷在新能源领域的潜力[ 09-05 16:13 ]

碳化硅陶瓷是从20世纪60年代开始发展起来的一种先进陶瓷材料，由于具备化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、密度小、耐磨性能好、硬度大、机械强度高、耐化学腐蚀等特性，在精细化工、半导体、冶金、国防军工等领域都有着广泛的应用。 值得关注的是，在近年发展得如火如荼的锂电池领域中，碳化硅陶瓷在其原料的制备环节上也同样发挥着重要作用，如： ①磷酸铁锂正极材料的超细研磨 磷酸铁锂是目前广泛使用的锂电池正极材料之一。由于纳米粒子可减小锂离子嵌入脱出深度和行程，保证大电流放电时容量不衰减，因此“超

牛津仪器推出新型SiC外延衬底化学机械抛光（CMP）解决方案[ 08-27 16:47 ]

据粉体圈整理消息：8月22日，牛津仪器（OxfordInstrumentsplc）旗下等离子技术公司（PlasmaTechnology）推出一种新型SiC外延衬底化学机械抛光（CMP）的替代解决方案——等离子抛光干法蚀刻（PPDE），它不仅更清洁、环保、低成本，并且更稳定。 CMP多年来一直是SiC衬底制备的最好选择，但它存在不良率的顽疾，这在当前满足SiC需求增长十分不利。首先，CMP浆料存在一定毒性，晶圆厂的CMP流程会对环境造成很大影响，并且大量消耗水资源；其次，CMP所须的抛光

晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体[ 08-26 17:05 ]

8月12日消息，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，晶盛首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，标志着晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代，同时这也是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。 据了解，此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。 在技术上，晶盛成功解决了8英寸晶体生长过程中多个难点问题，比如温场不均、晶体开裂、气相原料分布等等。 此外，还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛

哈尔滨科友半导体6英寸碳化硅衬底正式投产[ 08-25 11:37 ]

据粉体圈消息：8月18日，位于哈尔滨新区，投资10亿元建设的科友第三代半导体产学研聚集区项目一期正式投产，预计年底全部达产后可形成年产能10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。 据悉，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（科友半导体）成立于2018年，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制造、器件设计、技术转移和科研成果转化的国家级高新技术企业。去年7月，科友半导体产学研聚集区项目正式开工建设。主要建设中俄第三代半导体研究院、中外联合技术创新中心、科友半导体衬底制备中心、科友半导体高端装备制造中心、国际

士兰微启动6吋（150mm）SiC功率器件生产线建设项目[ 08-24 10:28 ]

据粉体圈消息：7月30日，杭州士兰微电子股份有限公司发布对外投资进展公告，将启动化合物半导体第二期建设，即实施“SiC功率器件生产线建设项目”，拟建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，项目总投资为15亿元，建设周期3年，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能（主要产品为SiCMOSFET、SiCSBD）。 2017年12月，士兰微与厦门半导体投资集团有限公司签署了《关于化合物半导体项目之投资合作协议》，双方共同投资设立了厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（士兰明镓），在厦门