8月12日消息，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，晶盛首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，标志着晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代，同时这也是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。

据了解，此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。

在技术上，晶盛成功解决了8英寸晶体生长过程中多个难点问题，比如温场不均、晶体开裂、气相原料分布等等。

此外，还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。

SiC晶体生长和加工技术自主可控是抢占未来竞争制高点的关键。晶盛机电通过自主开发的设备、热场和工艺技术，不断延伸产品系列。

2017年，晶盛开始布局碳化硅业务。

2020年，建立长晶和加工中试线，SiC晶体直径也从最初的4英寸增大到如今的8英寸，进一步缩小国内外技术差距，保障我国碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控。

而此次8英寸SiC导电单晶研制成功，也极大地提升了晶盛在SiC单晶衬底行业的国际竞争力。

据悉，晶盛机电创建于2006年12月，目前已组建原料合成+长晶+切磨抛的中试产线,，并完成6-8英寸长晶热场和设备开发，产出6英寸衬底，在总厚度变化率（TTV）可稳定达到＜3μm。

据悉，晶盛机电携碳化硅衬底晶片生产项目落户宁夏。该项目总投资50亿元，该项目分两期建设，将建设约7.5万平方米厂房及辅助设施，主要生产6英寸及以上导电型和半绝缘型碳化硅衬底晶片。一期预计3月开工建设，投资总额33.6亿元，一期建成达产后预计年产6英寸碳化硅晶片40万片，年营业收入24亿元。