据粉体圈整理消息：8月22日，牛津仪器（OxfordInstrumentsplc）旗下等离子技术公司（PlasmaTechnology）推出一种新型SiC外延衬底化学机械抛光（CMP）的替代解决方案——等离子抛光干法蚀刻（PPDE），它不仅更清洁、环保、低成本，并且更稳定。

CMP多年来一直是SiC衬底制备的最好选择，但它存在不良率的顽疾，这在当前满足SiC需求增长十分不利。首先，CMP浆料存在一定毒性，晶圆厂的CMP流程会对环境造成很大影响，并且大量消耗水资源；其次，CMP所须的抛光垫和特种化学品原材料成本高，且潜在供应链挑战问题；最后，CMP工艺本质上会因为浆料中化学品和抛光垫的不断消耗而导致效果漂移，最终产品不稳定。

PlasmaTechnology的战略业务发展总监评论说，“选择等离子表面处理来生产SiC外延衬底是一个非常有吸引力的提议，作为一种与当前方法相比的技术，它以更低的成本提供更好的结果，并实现了SiC器件的环境可持续生产。”牛津仪器等离子技术公司将在9月正式推出PPDE专利工艺，并讨论工业生产中实施和替代CMP工艺。