Wolfspeed宣布斥巨资扩产碳化硅晶圆产能[ 09-15 16:27 ]

9月9日，碳化硅半导体技术全球领导者Wolfspeed宣布将在北卡罗来纳州投建200mm（8吋）碳化硅晶圆项目，一期投资13亿美元，预计2024年投产；二期预计投资48亿美元，到2030年投产，投资目标是使Wolfspeed达到目前产能的十倍。 Wolfspeed首席执行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能够在500华氏度以上运行，电压大约是传统硅片可以处理的10倍，基于碳化硅的芯片已在电动汽车中找到一席之地，它们用于逆变器——该组件的作用是将电力从汽车电池传输到使车轮转动的电机。L

碳化硅器件工艺难点在哪里？[ 09-14 17:19 ]

衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多。 其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大。 硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片。 外延炉主要是国外

为什么碳化硅晶圆成本高？[ 09-13 16:14 ]

碳化硅的长晶技术大致有三种，PVT物理气相传输法，HT-CVD高温气相沉积法，以及LPE溶液法。 其中PVT比较主流，优点是简单，可靠，成本可控。CVD对设备要求太高，价格很贵，只有高质量的半绝缘衬底会用这个方法；LPE溶液法能做天然P型衬底，但是缺陷很难控制，还需要时间积累，日本公司不少专注于这个路线。 以PVT法为例，这种方案下碳化硅生长速度只有硅材料生长速度的1/100都不到，144小时只有2cm左右的厚度，实在是太慢了，要想获得更多的产量，只能靠长晶炉数量堆。 目前国外日新技研和PVATe

碳化硅现在面临的缺点和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]

碳化硅优点很多，但是目前也仅仅是一个小汽车应用场景上使用，还是无法大规模替代硅功率器件，业内从技术和产业角度来理解有以下这些问题。 首先碳化硅这种材料，在自然界是没有的，必须人工合成，结果必然是成本远远高于可以自然开采的材料，而且碳化硅升华熔点约2700度，且没有液态，只有固态和气态，因此注定不能用类似拉单晶的切克劳斯基法（CZ法）制备，因此第一步晶体生长技术卡住了第一步也是最关键的一步，导致原材料价格过于昂贵。 因此碳化硅6英寸衬底高达1000美金，而6英寸硅片为23美金（150元），两者实在差太多了

宽禁带半导体材料的优点[ 09-09 17:05 ]

碳化硅，氮化镓有个很拉风的名字叫宽禁带半导体材料，国内也叫第三代半导体。它特指禁带宽度超过2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.34eV）；超过4.0eV叫超宽禁带半导体材料，国内叫第四代半导体材料，包括氮化铝（AlN），金刚石（C），氧化镓（Ga2O3）和氧化锌（ZnO），就是上上周美国搞制裁的那个，有意思的是美国只禁了氧化镓和金刚石，不提氮化铝和氧化锌，嘿嘿！说明他们这块不行，氮化铝可能还是日本和中国搞的出色些。 禁带宽度物理意义是实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产