碳化硅的长晶技术大致有三种，PVT物理气相传输法，HT-CVD高温气相沉积法，以及LPE溶液法。

其中PVT比较主流，优点是简单，可靠，成本可控。CVD对设备要求太高，价格很贵，只有高质量的半绝缘衬底会用这个方法；LPE溶液法能做天然P型衬底，但是缺陷很难控制，还需要时间积累，日本公司不少专注于这个路线。

以PVT法为例，这种方案下碳化硅生长速度只有硅材料生长速度的1/100都不到，144小时只有2cm左右的厚度，实在是太慢了，要想获得更多的产量，只能靠长晶炉数量堆。

目前国外日新技研和PVATepla的长晶炉基本要卖到300万左右一台。国内很多公司比如露笑，东尼，晶盛机电，这些年经过技术改良和成本控制后，能做到150-200万一台甚至更便宜的价格，这个价格基本也能接受。

其次碳化硅非常硬，莫氏硬度高达9.3是高于蓝宝石仅次于金刚石的，是最坚硬的一种物质，因此切磨抛加工带来巨大的困难。

2cm厚度的碳化硅晶锭，现有技术完全切开也需要至少100小时左右，相当费时间。锯切效率高，但是破片率高，线切效果稍好，但是效率很低。

切磨抛设备日本高鸟，永安有不少新设备上线，从业内反馈效果还行，但是日本公司都有个通病，不太愿意大规模扩产，因此这些设备谁买到谁就能先把产能扩出来。

英飞凌曾经花了1.24亿欧元收购一家做碳化硅冷切割（coldspitl）技术的公司Silecrta，以希望用冷切割技术，高效率低成本得到最多的碳化硅晶片。

有人说这是激光切割技术，作者研究后发现应该不是激光切割，而是类似离子注入法和做SOI硅片的技术比较接近的剥离技术。

碳化硅透光率很高，激光切并不合适，而且激光切割设备相当昂贵，当然离子注入法剥离也不简单，现阶段最现实的还是线切。

切割良率就真正考验各家水准了，同样3cm晶锭厚度，最终得片率是30片还是33片还是35片？每多一片都是利润！

对于磨抛而言，也有不少技术难点还未完全攻克，但是要比切略简单，无非是慢一点。由于碳化硅硬度和蓝宝石比较接近，因此蓝宝石的粗抛设备以及SLurry配方略经改良，是可以用的，细抛就要上新设备了，但是这部分设备占整体成本并不不高，大体可控。