棕刚玉磨料电导率影响的因素有哪些？[ 01-09 15:30 ]

棕刚玉的导电率并不是固定的，而是受多种因素的影响。以下是影响棕刚玉导电率的关键因素分析：

碳化硅微粉：喷砂与磨料行业中的明星材料[ 07-10 10:23 ]

引言 在现代工业的精密工艺中，碳化硅（SiC）微粉作为一种高性能的非氧化物陶瓷材料，正以其卓越的物理与化学特性，引领着喷砂和磨料技术的革新潮流。 碳化硅微粉的魅力 碳化硅微粉，以其高达莫氏硬度9.5的坚硬质地，以及出色的耐磨性和耐高温能力，成为工业界不可或缺的材料之一。其在喷砂与磨料行业中的表现，更是令人瞩目。 高效精准的喷砂工艺 喷砂技术，通过压缩空气将磨料高速喷射至工件表面，实现去污、除锈及表面预处理的目的。选用碳化硅微粉作为喷砂介质，不仅因它的高硬度确保了快速有效的表面处理，还能显著降低磨料的损耗率

碳化硅、白刚玉等磨料微粉是如何进行颗粒整形？[ 11-02 16:00 ]

随着新材料产业的发展、传统产业的技术进步和产品升级，工业生产中对粉体原料提出越来越高的要求

大面积碳化硅陶瓷膜层化学气相沉积（CVD）技术[ 08-23 16:25 ]

光刻机等集成电路关键制造装备中某些高性能光学元件对材料制备有着苛刻的要求，不仅要求材料具有高的稳定性，还需满足某些特定的光学性能要求。反应烧结碳化硅经抛光后其面型精度高，但是该材料是由碳化硅和游离硅组成的两相材料，在研磨抛光等过程各相的去除速率不一致，无法达到更高的面型精度，因此无法满足特定光学部件性能要求。 采用反应烧结碳化硅基体结合化学气相沉积碳化硅(CVDSiC)膜层的方法制备高性能反射镜，通过优化先驱体种类、沉积温度、沉积压力、反应气体配比、气体流场、温度场等关键工艺参数，可实现大面积、均匀CVDSi

碳化硅陶瓷反应连接技术[ 08-22 17:23 ]

全封闭、中空部件的制备一般采用连接工艺获得，目前常用的陶瓷连接方法主要有钎焊、扩散焊等，但这些方法均存在工艺复杂、焊接料性能同碳化硅基体差别大等缺点，难以满足光刻机等集成电路制造装备对复杂结构部件的使用要求。 根据反应烧结碳化硅的工艺特点，将待粘接零部件进行预处理，并通过粘接料对制品进行粘接，随后再进行反应烧结，使制品的连接与反应烧结同步完成。通过调节粘接料的组分、控制连接工艺，可实现复杂结构部件的致密、高强度、无缝隙粘接。