一图搞懂碳化硅——起源篇[ 05-01 17:21 ]

 

SiC的不同晶体结构[ 04-16 13:30 ]

由于Si与C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，SiC有着超过200种（目前已知）同质多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有优良的物理和化学性能）。 最常用的多型是： 4H-SiC——功率集成电路应用 6H-SiC——射频应用 在不同的晶面上生长不同的晶锭多型体： 4H-SiC——在碳(C)面晶种上生长 6H-SiC&

碳化硅陶瓷换热器的优点[ 04-12 14:14 ]

碳化硅陶瓷换热器有以下几个优点： （1）碳化硅陶瓷换热器的使用方法直接、简单、快捷、高效、环保、节能。不需掺冷风及高温保护，维修成本低，无需对陶瓷换热器进行任何操作。适用于各种环境的燃气工业窑炉的余热回收利用，尤其解决了各种高温工业窑炉余热温度过高无法利用的难题； （2）国家要求陶瓷换热器温度≥1000℃，由于它耐高温，所以就可以放在高温区域，温度越高，换热效果越好，节能越多； （3）高温情况下替代金属换热器； （4）解决化工行业热交换、耐腐蚀的难题； （5）碳化硅陶瓷换热器适应

半绝缘型碳化硅衬底的主要应用[ 03-24 16:23 ]

半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5

导电型碳化硅衬底的主要应用[ 03-23 16:21 ]

导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。