阻碍SiC陶瓷烧结的因素[ 12-30 14:34 ]

SiC的构成单元为Si与C原子比为1:1的正四面体，在SiC晶格中，Si与C之间的平均键能为300kJ/mol，共价键与离子键比值约为4:1，这使得其难以烧结成致密陶瓷。阻碍SiC陶瓷烧结的因素有以下两个方面： ①热力学方面 SiC的晶界能较高，粉体颗粒表面能相对较低，SiC陶瓷烧结推动力低，烧结难度增大。目前可通过引入烧结助剂、选用纳米级原料细粉及施加外部压力的方式来促进烧结。 ②动力学方面 SiC晶格原子间的键能使得物质迁移所需能量高，物质难以扩散，而蒸发—凝聚传质至少需要蒸

碳化硅陶瓷膜分离技术的应用介绍[ 11-30 11:22 ]

1.油水分离   SiC陶瓷膜分离技术在油水分离中的应用最为广泛，涉及的含油水种类包括工业加工清洗油污水、船舶舱底油污水、石油工业及固体燃料热加工工业的含油污水等。根据SiC陶瓷膜孔径的不同（一般为0.01~10μm），其处理的油污种类可包括浮油、乳化油乃至溶解油。与目前用于处理油气勘探废水的技术相比，SiC陶瓷膜分离技术不仅使整体分离系统更加紧凑，还减少了化学品的使用。   2.水质净化   SiC陶瓷超滤膜因具有高结构稳定性和选择性，还可用于净化水质，分离水中的悬

碳化硅陶瓷膜的制备方法简要介绍[ 11-30 11:13 ]

碳化硅陶瓷膜现有制备技术有：颗粒堆积法、碳热还原法、聚合物裂解法及化学气相沉积法等。   1.颗粒堆积法 颗粒堆积法即固态粒子烧结法，这种方法脱胎于多孔陶瓷制备方法，是常见的陶瓷膜制备方法，在大颗粒中掺杂小颗粒，利用细小颗粒容易烧结的特点，升至一定温度使大颗粒间形成连接，其中理想情况为大颗粒间颈部粘接，留有大量贯通孔道，同时保有较好的力学性能。 颗粒堆积法工艺流程图（文章图片来源：新型陶瓷公众号）   2.碳热还原反应烧结法 碳热还原反应烧结主要使用适量的硅源和碳作为原料均

碳化硅陶瓷膜优点介绍[ 11-30 11:07 ]

碳化硅陶瓷膜主要具有以下优点： ♦化学稳定性好，耐强酸强碱以及所有有机溶剂； ♦热稳定好，耐热冲击——在高温条件下稳定运行； ♦开口孔隙率高、通量大； ♦亲水疏油性好——能高效进行油水分离； ♦膜结合强度高，耐磨性好。   SiC膜与其他膜的优势性能对照表 图片来源：新型陶瓷公众号

什么是碳化硅陶瓷膜？[ 11-30 09:34 ]

碳化硅陶瓷膜是一种新型的非氧化物无机膜，不仅具有机械强度高、孔径分布集中、抗热震性能佳、使用寿命长等特点，而且在膜通量、高温稳定性、以及耐强酸强碱等方面有着突出的优势，将其用于重金属废水的处理，是一种有益的尝试。碳化硅（SiC）陶瓷膜分离技术被认为是近年来发展最迅速的膜分离新技术之一。 图片来源：迪洁膜官网 碳化硅陶瓷膜（SIC）采用重结晶技术通过高温烧结而成，其分离层、过渡层以及多孔支撑层全部为SiC材料，其过滤精度多为微滤和超滤。按膜结构不同一般分为管式膜和平板膜。管式膜由分离层、过渡层和支撑层组成，平