碳化硅反射镜的制作难点[ 01-08 08:43 ]

随着技术发展，碳化硅反射镜的应用领域正在不断扩大，在空间对地观测、深空探测、天文观测和量子通讯等方面都能看到它的身影。 但是，这些高性能空间光学元件往往会要求具有超光滑表面（表面粗糙度<1nmRMS），因此碳化硅材料在反射镜应用方面主要面临以下两方面困难： 一方面，由于SiC材料比刚度大，化学稳定性高，很难通过机械力抛光的方法直接获得高质量的SiC光学镜面； 另一方面，非常难以直接制备完全致密的SiC材料，残留的气孔等缺陷会影响光学加工质量，最终影响镜面质量。不过令人意外的是，后者的影响其实远比前

碳化硅芯片目前的发展应用[ 01-07 15:55 ]

碳化硅是最近几年半导体专家发现的一种新型半导体材料，和普通的硅芯片相比，碳化硅芯片的优势在于它可以承受更大的功率，可以对电流进行更加精细的控制，而电动汽车的电控系统负责控制从电池流向电动机的电流与电压大小，借此控制电动机的转速以及整辆汽车的加减速，碳化硅芯片就非常适合用在电控系统里，当做控制电流的部件。因此，新能源汽车可以说是碳化硅最重要的下游领域。 碳化硅芯片具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在大功率电子、航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优点。第三代半导体材料碳

碳化硅反射镜的制备与加工[ 01-03 08:52 ]

把一块粗糙的、灰黑的碳化硅陶瓷块镜坯打造为光可鉴人的反射镜，变化之大完全不亚于丑小鸭变天鹅。如何在得到较高表面质量的同时实现快速加工，则是材料学界一直以来的研究重点。 1.镜坯的制造 制备SiC反射镜坯的工艺有许多种，除了热压烧结、气相沉积外，最有应用价值的是反应烧结法，具有成本低和可实现净尺寸烧结等优点。 反应烧结法流程为：利用SiC粉制得所需形状的坯体，然后将该坯体在Si气氛下烧结。整个工艺中关键点有以下几个：①烧结体中尽可能少气孔和裂纹；③坯体具有轻量化结构。 2.铣磨粗抛 刚烧

硼、碳和铝烧结助剂对SiC陶瓷烧结的影响[ 12-30 14:42 ]

研究发现，SiC陶瓷烧结时可加入B、C、Al来实现致密化，B系与C系烧结助剂的添加能够降低SiC晶界能与表面能的值，增强扩散的驱动力，而Al系烧结助剂可以以固溶的方式活化晶格，促进致密化进行。 对于无压或热压烧结SiC，在不使用烧结助剂情况下基本难以实现致密烧结，但烧结助剂加入不当又会使材料性能恶化。SiC陶瓷的力学性能受游离C的分布影响很大，而B的分布又会使游离C的晶粒由等轴状生长为长柱状，起到界间强化的作用。另外，温度的升高会促进基体晶粒的多边形化，但过大的基体晶粒尺寸又会对晶界处游离C的生长产生抑制作用

氟化物烧结助剂对SiC陶瓷烧结的影响[ 12-30 14:39 ]

有研究表明，SiC陶瓷样品的密度与热导率随YF3的加入显示先增后减的变化，当加入5%的YF3时，密度与热导率均达到最大。YF3作为烧结助剂可以提高SiC陶瓷的致密度和热导率主要是由于YF3可以与SiO2反应生成第二相，同时达到除氧的目的，净化SiC的晶格。而生成的液相也可以促进烧结的进行，降低烧结温度。 密度与热导率出现先增后减的变化，原因可能有如下两点: 第一，添加适量烧结助剂形成的液相可以使陶瓷致密化程度提高。YF3添加量过少，不足以形成足够的液相，而过量的YF3又会产生过多液相，粘度增加，均不利于