SiC器件IGBT模块是否有必要提高结温[ 02-06 09:51 ]

众所周知，SiC材料具有许多重要特性：其击穿电场强度是硅材料的10倍左右，最高结温可达600℃……因此，SiC器件结构具有天生的耐高温能力，在真空条件下耐压甚至可达400至600℃。SiCMOSFET自身损耗小，发热量小，自身温升相对较小。“SiC的导热率比硅更好，（大约是硅的三倍），熔点更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本质上SiC的耐受温度比硅高出很多。”所以，SiC更适合高温工作环境。 2010年5月，一家头部公司称其新技术显著提高了IGBT模

铝碳化硅（AlSiC）材料的性能特性[ 01-23 09:06 ]

铝碳化硅（AlSiC）材料具有以下性能特性： 1）AlSiC具有高导热率（170～200W/mK）和可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6/K），可提升器件散热性能的同时，其热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配，能够防止疲劳失效的产生，甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC基板上； 2）AlSiC是复合材料，其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整，因此电子产品可按用户的具体要求而灵活地设计，这是传统的金属材料或陶瓷材料无法作到的； 3）AlSiC的密度与铝相当，比铜

铝碳化硅AlSiC（SiCp/Al）材料制备方法与工艺的研究[ 01-22 09:11 ]

AlSiC（SiCp/Al）材料虽然具有优异的力学与物理特性，但是实现高体积分数SiC的SiCp/Al材料的制备一直是制约该行业发展的难题。如何实现经济、快速、高品质、低次品率的工业化生产，是SiCp/Al材料行业发展的机遇与挑战。目前，SiCp/Al材料制备方法与工艺的研究，主要分为粉末冶金、搅拌熔铸、共喷沉积、无压渗透与压力渗透五种。 目前SiCp/Al材料的五种制备方法均已有一定的研究成果，国外发展较早，按照地域主要分为美国、欧洲与日本三大技术开发中心，生产的SiCp/Al材料产品广泛用于飞机、卫星、导

碳化硅陶瓷3D打印成型结合反应烧结制备技术[ 01-18 15:41 ]

3D打印技术又称增材制造技术，该技术基于离散－堆积原理，利用计算机程序将产品的三维模型分层处理，通过加热或黏结的方式将原料逐层堆积形成立体形状的坯体。 3D打印结合反应烧结制备工艺在复杂结构碳化硅陶瓷产品近净尺寸成型方面具有巨大优势，可提高产品生产效率并降低生产成本，为制造复杂结构陶瓷提供了新的工艺方案。目前，3D打印成型的陶瓷坯体普遍存在表面质量差、尺寸精度低、烧结致密性偏低等问题，影响了3D打印技术在规模化工业生产的应用，未来需要继续提高3D打印用陶瓷材料的制备水平和打印过程的控制精度，以便实现低成本、高

碳化硅陶瓷注浆成型结合反应烧结制备技术[ 01-17 15:39 ]

注浆成型技术多用于传统陶瓷的制备，目前也在碳化硅窑具、喷嘴、热交换器等复杂结构产品的制备过程中得到越来越多的应用。 注浆成型结合反应烧结工艺流程：将碳化硅粉、烧结助剂、去离子水、分散剂、黏结剂等混合制成碳化硅浆料，注入多孔模具，通过毛细管力将浆料中的水分逐渐吸出，沿模具内壁向内固化成坯体；当坯体厚度达到设定值后，倒出剩余浆料，一定时间后脱模得到碳化硅坯体，再经过干燥、修坯、烧结等工艺制得碳化硅陶瓷成品。 注浆成型工艺操作简单、灵活性强、成本低，适于制造复杂结构的陶瓷产品。