碳化硅作为强共价键化合物所具有的显著特点[ 03-10 15:20 ]

碳化硅是一种强共价键化合物，具有以下显著特点： 1）密度低、弹性模量高； 2）硬度高，耐磨损性能好； 3）化学稳定性好，耐腐蚀性能优异； 4）高温强度高、抗蠕变性好； 5）电阻率可控，具有半导体特性； 6）热膨胀系数低、热导率高。

高导热碳化硅陶瓷的需求量急剧增长[ 03-02 09:19 ]

碳化硅作为一种重要的结构陶瓷材料，凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业领域，还可作为防弹装甲材料、空间反射镜、半导体晶圆制备中夹具材料及核燃料包壳材料。 随着科技的不断发展，碳化硅陶瓷在半导体领域的应用需求量急剧增长，而高热导率是其应用于半导体制造设备元器件的关键指标，因此加强高导热碳化硅陶瓷的研究至关重要。减少晶格氧含量、提高致密性、合理调控第二相在晶格中的分布方式是提高碳化硅陶瓷热导率的主要方法

碳化硅技术在家电行业的应用[ 02-26 13:37 ]

回溯半导体技术的发展历程，大致分为3个时代。第一代半导体材料主要是硅和锗，上世纪60年代之后，硅基半导体逐渐成为主流，直到现在依然是应用最为广泛的半导体材料，全球95%以上的芯片是以硅片为基础材料制成的。第二代半导体材料的代表是砷化镓，可以制造更高频、高速的集成电路，但是以目前的需求来看，砷化镓材料的禁带宽度依然较小。第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的材料，可以制备耐高压、高频的功率器件。这些材料中，碳化硅是综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，目前已经在5G通信、PD快充、新能源汽车

碳化硅功率模块的应用[ 02-21 12:18 ]

碳化硅模块是支撑各种工业应用的关键技术之一，相比传统硅基IGBT功率模块具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作结温、更低寄生电感、更低热阻等特性。在需要提升系统功率密度、使用更高主开关频率的尖端电力电子设备的性能升级过程中，现有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢复二极管）的性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。 随着SiC技术的日趋成熟和商业化应用，其独特的耐高温性能不断加速推动结温从150℃迈向175℃，甚至已出现了200℃的产品。借助于这种独特的高温特性和低开关损耗优势，可以为未来的高

烧结温度对SiC多孔陶瓷性能的影响[ 02-20 08:36 ]

(1)XRD分析表明，随着烧结温度的升高，SiO2的特征衍射峰强度逐渐升高，在1690℃时SiO2的特征衍射峰强度最高，这是因为烧结温度较高导致了SiC表面发生了氧化反应，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。 (2)气孔率测试发现，随着烧结温度的升高，SiC多孔陶瓷的气孔率呈现出先降低后增加的趋势，在1660℃时气孔率最低为32.1％。 (3)分析发现，在1600和1630℃下烧结的SiC多孔陶瓷中的小颗粒较多，且SiC多孔陶瓷的颗粒较为分散；随着烧结温度的升高，小颗粒相逐渐减少，断面出现了较多的气孔，且