(1)XRD分析表明，随着烧结温度的升高，SiO2的特征衍射峰强度逐渐升高，在1690℃时SiO2的特征衍射峰强度最高，这是因为烧结温度较高导致了SiC表面发生了氧化反应，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。

(2)气孔率测试发现，随着烧结温度的升高，SiC多孔陶瓷的气孔率呈现出先降低后增加的趋势，在1660℃时气孔率最低为32.1％。

(3)分析发现，在1600和1630℃下烧结的SiC多孔陶瓷中的小颗粒较多，且SiC多孔陶瓷的颗粒较为分散；随着烧结温度的升高，小颗粒相逐渐减少，断面出现了较多的气孔，且部分气孔尺寸较大，SiC陶瓷整体逐渐收缩紧密；继续升高烧结温度，晶粒逐渐长大，整体的致密性有降低的趋势。

(4)力学性能分析发现，随着烧结温度的升高，SiC多孔陶瓷的压缩强度先升高后轻微下降，在1660℃时压缩强度达到了最大值25.6MPa，相比1600℃，压缩强度提高了46.9％。

(5)油水分离测试发现，随着烧结温度的升高，SiC多孔陶瓷的膜通量出现了先降低后有略微升高的趋势，截留率出现了先升高后轻微降低的趋势。在烧结温度为1660℃时，膜通量最低为553.8L/(m2·h)，截留率最高为91.5％。可见当烧结温度为为1660℃时，多孔SiC陶瓷的油污分离以及废水处理性能最佳。