碳化硅作为一种重要的结构陶瓷材料，凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业领域，还可作为防弹装甲材料、空间反射镜、半导体晶圆制备中夹具材料及核燃料包壳材料。

随着科技的不断发展，碳化硅陶瓷在半导体领域的应用需求量急剧增长，而高热导率是其应用于半导体制造设备元器件的关键指标，因此加强高导热碳化硅陶瓷的研究至关重要。减少晶格氧含量、提高致密性、合理调控第二相在晶格中的分布方式是提高碳化硅陶瓷热导率的主要方法。

目前，我国有关高导热碳化硅陶瓷的研究较少，且与世界水平相比尚存在较大差距，今后的研究方向包括：1）加强碳化硅陶瓷粉体的制备工艺研究，高纯、低氧碳化硅粉的制备是实现高热导率碳化硅陶瓷制备的基础；2）加强烧结助剂的选择及其相关理论研究；3）加强高端烧结装备的研发，通过调控烧结工艺得到合理的显微结构是获得高热导率碳化硅陶瓷的必备条件。