一张图：碳化硅这样提纯，能行吗？[ 07-15 15:40 ]

 

碳化硅耐磨陶瓷胶粘涂层技术优点[ 06-09 16:47 ]

碳化硅耐磨陶瓷胶粘涂层技术具有如下优点： 1、可现场施工，而且施工方法简单，易于造形，厚度可控制，因此适用范围广泛。 2、高附着力，涂层可靠性高，使用寿命长。 3、涂层硬度高，7H左右，致密耐磨，表面光滑，可打磨加工。 4、有多种防护功效，应用范围相当广泛。既用于各种装备构件的防护（密封防渗漏，抗磨，防腐，电绝缘），也可用于各种结构件的修理，达到修旧利废的目的。 5、涂层有一定的自润滑功能，摩擦系数相对较低，越磨越光滑，耐磨性能良好。 6、涂层本身不燃，具有良好的阻燃功效。

氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]

氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料是一种特殊的碳化硅制品，20世纪70年代被广泛应用于磨具磨料以及电陶瓷行业，上世纪80年代我国将该材料进行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近，当柱状的氮化硅穿插在碳化硅颗粒之间并发生烧结，产生的增韧和强化作用远远优于单一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性较大，可以与碳化硅材料复合改善脆性，提升断裂韧性；而且碳化硅材料的热稳定性与抗氧化能力在与氮化硅复合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料莫氏硬度为9左右，仅次于金刚石；常温强度高并且在1200-1400℃时此材料的强度和硬度可以

碳化硅半导体产业链[ 05-13 16:42 ]

碳化硅半导体产业链主要包括“碳化硅高纯粉料→单晶衬底→外延片→功率器件→模块封装→终端应用”等环节。 1碳化硅高纯粉料 碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。 碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法；气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导

在单晶生长方面SiC晶体制备的两个难点[ 05-08 08:34 ]

与传统的单晶硅使用提拉法制备不同，目前规模化生长SiC单晶主要采用物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法。这也就带来了SiC晶体制备的两个难点： 1、生长条件苛刻，需要在高温下进行。一般而言，SiC气相生长温度在2300℃以上，压力350MPa，而硅仅需1600℃左右。高温对设备和工艺控制带来了极高的要求，生产过程几乎是黑箱操作难以观测。如果温度和压力控制稍有失误，则会导致生长数天的产品失败。 2、生长速度慢。PVT法生长SiC的速度缓慢，7天才能生长2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出约2m长的8英