研究发现，SiC陶瓷烧结时可加入B、C、Al来实现致密化，B系与C系烧结助剂的添加能够降低SiC晶界能与表面能的值，增强扩散的驱动力，而Al系烧结助剂可以以固溶的方式活化晶格，促进致密化进行。

对于无压或热压烧结SiC，在不使用烧结助剂情况下基本难以实现致密烧结，但烧结助剂加入不当又会使材料性能恶化。SiC陶瓷的力学性能受游离C的分布影响很大，而B的分布又会使游离C的晶粒由等轴状生长为长柱状，起到界间强化的作用。另外，温度的升高会促进基体晶粒的多边形化，但过大的基体晶粒尺寸又会对晶界处游离C的生长产生抑制作用，降低晶界的结合力。因此，适宜的烧结温度和均匀分布的添加剂对材料力学性能的提高有利。