随着科学技术的快速发展，碳化硅陶瓷的应用领域进一步拓宽，但特殊的使用工况也对SiC陶瓷制品的形状复杂性提出了更高的要求。例如：在航空航天领域，为了提高光学系统的分辨率，碳化硅陶瓷反射镜必须满足口径大、质量小的要求，因此反射镜的减重设计越来越复杂；在集成电路领域，碳化硅陶瓷作为集成电路装备关键组成部分，其结构复杂，精度要求极高；在化工医药领域，碳化硅陶瓷可以用于制作能进行化学反应的三维结构微反应器元件，结构极其复杂。

由此可见，复杂结构碳化硅陶瓷在现代科技的发展中发挥着越来越重要的作用。SiC陶瓷常用的烧结工艺有无压烧结、反应烧结、热压烧结和热等静压烧结等，而制备高致密度、高性能要求的SiC陶瓷制品通常需采用热压和热等静压等成型工艺。为满足碳化硅陶瓷的复杂结构设计要求，优化碳化硅陶瓷的制备工艺、实现近净成型制备是关键，为此，将合适的成型技术与烧结技术科学的组合起来非常重要。