SiC的构成单元为Si与C原子比为1:1的正四面体，在SiC晶格中，Si与C之间的平均键能为300kJ/mol，共价键与离子键比值约为4:1，这使得其难以烧结成致密陶瓷。阻碍SiC陶瓷烧结的因素有以下两个方面：

①热力学方面

SiC的晶界能较高，粉体颗粒表面能相对较低，SiC陶瓷烧结推动力低，烧结难度增大。目前可通过引入烧结助剂、选用纳米级原料细粉及施加外部压力的方式来促进烧结。

②动力学方面

SiC晶格原子间的键能使得物质迁移所需能量高，物质难以扩散，而蒸发—凝聚传质至少需要蒸气压10-1Pa才能有效果，因此很难通过蒸发—凝聚传质促进SiC材料烧结。目前，可通过烧结助剂的添加加快SiC质量传递速率或生成一定数量的液相来实现流动传质。