日本IDM大厂罗姆SiC功率半导体计划将产能增加6倍[ 06-20 17:27 ]

据粉体圈整理消息：近期，日本IDM大厂罗姆(Rohm)计划2025年前，要将碳化硅(SiC)功率半导体的营收扩大至1000亿日元以上。为此，罗姆最大将投资1700亿日元使碳化硅功率半导体的产能在2025年时增加至2021年时的6倍。 罗姆6月8日在日本福冈县筑后市举行碳化硅功率半导体专用生产厂房启用仪式。罗姆社长松本功表示，要以新厂房为起点，目标在2025年度成为全球市占龙头。这也是日本半导体制造商首度在日本国内建设碳化硅功率半导体的专用厂房。 据《日本经济新闻》报道，目前罗姆在全球整体功率半导体市场市

蓝海华腾、广汽资本投资基本半导体 抢滩布局碳化硅百亿市场[ 06-19 16:22 ]

6月7日,蓝海华腾、广汽资本、润峡招赢等机构完成了对国内第三代半导体碳化硅(SiC)功率器件企业——基本半导体的C2轮融资。本次投资意味着蓝海华腾加紧开拓布局第三代半导体碳化硅器件领域，通过助力基本半导体在碳化硅功率器件上的研发进度以及制造基地的建设，共同加强双方在新能源汽车市场的拓展。 公开资料显示，蓝海华腾于2016年在深交所创业板上市，是一家拥有完全自主知识产权，专业致力于新能源汽车驱动和工业自动化控制产品的研发、生产、销售以及整体方案解决的国家高新技术企业。 蓝海华腾本次

德智新材投资2.5亿半导体用碳化硅蚀刻环项目完成主体工程建设[ 06-17 17:19 ]

近日，在新马工业园内，湖南德智新材料有限公司半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设，并预计在明年初投产，一项“卡脖子”的高精尖技术，即将在株洲顺利实现产业化。 SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材，在半导体芯片产业链上是一种不可或缺的重要材料。SiC刻蚀环对纯度要求极高，因此只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。长期以来，围绕半导体及其配套材料的发展一直是我国生产制造中的薄弱环节，但因其技术壁垒高，长期被美

甘肃天水签20亿大单，打造碳化硅陶瓷复合产业园[ 06-10 14:54 ]

据粉体圈消息：6月1日，甘肃天水清水县政府与山东华贸控股集团举行高性能碳化硅复合材料产业园项目签约仪式。该项目预计投资20亿元，一期建设工业厂房、办公、研发中心等共计12万平方米，建设3条碳化硅生产线，氮化硅结合碳化硅复合材料及制品生产线以及石英砂矿生产线，于2023年10月份前建成投产；二期将于2025年底全部达产。 山东华贸控股集团在清水县投资建设高性能无压烧结碳化硅及氮化硅结合碳化硅高耐制品等陶瓷基复合材料产业园及配套石英砂矿项目，主要建设25万吨高性能无压烧结碳化硅材料、3万吨高性能陶瓷制品生产线、3

总投资20亿！江苏又增碳化硅项目[ 06-08 16:42 ]

前段时间，江苏扬州签约了1个碳化硅项目。但其实，当时签约的还有另一个碳化硅项目——南京宽能半导体有限公司项目。 中国江苏网近日报道称，江苏扬州在4月21日举行了“重大招商项目暨央企区域总部项目视频签约活动”，其中宽能半导体项目正式签约落户于浦口经开区，总投资为20亿元。 报道称，该项目计划投资14亿元，用于生产6吋硅基集成电路芯片及功率器件。但“三代半风向”了解后发现，该项目也将主要从事碳化硅晶圆代工。 据了解，宽能半导体成立