SiC单晶技术研发历史[ 05-06 16:22 ]

Si和SiC作为半导体材料几乎同时被提出，但由于SiC生长技术的复杂和缺陷、多型现象的存在，其发展曾一度被搁浅。SiC的发展历经了多个重要阶段。第一个阶段是结构基本性质和生长技术的探索阶段，时间跨度从1924年发现SiC结构至1955年Lely法的提出。第二阶段是物理基本性质研究和英寸级别单晶生长的技术积累阶段。在此阶段物理气相传输(PVT)生长方法基本确定、掺杂半绝缘技术被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC衬底材料。从1994年以后，随着国际上半导体照明及2英寸SiC单晶

关于取消召开2022年春季全国磨料磨具行业信息交流会的通知[ 05-05 17:07 ]

国际半导体行业巨头抢滩8英寸碳化硅晶圆衬底[ 05-02 08:03 ]

从目前全球市场情况来看，目前SiC半导体市场主要由Wolfspeed、英飞凌、罗姆半导体旗下SiCrystal、II－IV、新日铁住金及道康宁等国外厂商占据着。同时，根据市场的公开资料显示，这些厂商在进入6英寸生产后，在近两年来，其中一部分厂商又对其6英寸产线进行了扩产，并在积极推动SiC向8英寸发展。 在国际知名大厂中，据“三代半风向”统计，目前有7家企业能够生产8英寸SiC晶圆衬底，包括英飞凌、Wolfspeed、罗姆、II-VI、Soitec，意法半导体以及中国的烁科晶体。

第六届“郑州三磨展”将延期举办[ 04-29 13:04 ]

受新冠疫情近期发展态势影响，原定于2022年5月26-28日举办的第六届“郑州三磨展”将延期举办。具体举办时间另行通知。

韩国成立碳化硅产业联盟[ 04-27 13:53 ]

据 粉体网信息 韩媒ETNews报道，为了开发新一代功率半导体，韩国将于14日正式推出其由国内半导体企业、大学、研究所等组成的“新一代晶体工程部”，以应对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（GaO）等迅速增长的全球功率半导体市场。 该研究部门的目标是开发以碳化硅（SiC）为基础的国产功率半导体生态系统，还将培育与碳化硅半导体相关的材料、零部件和设备企业的发展，并决定为应对碳化硅半导体市场的增长，组成联盟。 在该联盟中，LXSemiconductor、SKsilt