碳化硅电力电子器件发展中的难题分析[ 05-18 16:25 ]

1.碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一种肉眼都可以看得见的宏观缺陷，在碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前，大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。尽管优质晶片的微管密度已达到不超过15cm-2 的水平。但器件制造要求直径超过100mm的碳化硅晶体，微管密度低于0.5cm-2 。 2.外延工艺效率低。碳化硅的气相同质外延一般要在1500℃以上的高温下进行。由于有升华的问题，温度不能太高，一般不能超过1800℃，因而生长速率较低。液相外延温度较低、速率较高，但产量较低。 3.掺杂工艺有特殊要求。如用扩散

最新碳化硅价格与走势[ 05-02 15:40 ]

最近很多客户问我们业务员，碳化硅的价格怎么又高了？

金蒙新材料参加第十一届国际太阳能产业及光伏工程展览会[ 04-21 16:30 ]

碳化硅精细微粉作为一种新型的多复合性功能材料，近年来被广泛应用于高端太阳能、半导体切割研磨、LED、非金属陶瓷、高性能密封环等领域。

金蒙新材料邀您参加2017年春季全国磨料磨具会！[ 03-22 13:28 ]

碳化硅陶瓷制品高新技术无机非金属材料领域产品，国外称这类材料为先进陶瓷，高技术陶瓷、精密陶瓷、工程陶瓷、结构陶瓷，其制造工艺包括SIC粉体制备、粉体成型、胚体烧结和机械精加工。

碳化硅器件在电动汽车领域的应用前景分析[ 03-13 15:54 ]

碳化硅器件在电动汽车领域的应用前景分析