“双碳”、碳化硅、新能源有何神秘关系?[ 12-16 08:41 ]

  碳达峰是指我国承诺2030年前，二氧化碳的排放不再增长，达到峰值之后逐步降低。     碳中和是指企业、团体或个人测算在一定时间内直接或间接产生的温室气体排放总量，然后通过植物造树造林、节能减排等形式，抵消自身产生的二氧化碳排放量，实现二氧化碳“零排放”。     全球二氧化碳排放量逐年增加，2019年全球排放量达341.7亿吨，年均复合增速2.1%。我国碳排放总量占全球碳排放总量的1/3，分别是美国和欧盟的2倍和3倍。我国人均碳

【磨协】关于召开2021年秋季全国磨料磨具行业信息交流会暨第三届中国磨料磨具行业国际技术论坛的通知[ 11-30 12:18 ]

各会员单位及行业企业：   因故延期的“2021年秋季全国磨料磨具行业信息交流会暨第三届中国磨料磨具行业国际技术论坛”，确定于2021年12月8—9日在河南省郑州市举办。本次交流会秉承交流探讨、开阔思路、加强合作、凝聚共识、推动行业高质量发展的主旨，以国际论坛的形式邀请到多位国内外知名磨企负责人及科研院所教授，聚焦行业的发展趋势、创新方向、制备工艺、绿色减排等热点问题作分析报告。   会议具体安排如下：   一、会议时间：2021年12月8

【涂协】关于召开涂附磨具分会第十一届会员代表大会暨“2021中国涂附磨具国际论坛”的通知[ 11-30 11:37 ]

  召开涂附磨具分会第十一届会员代表大会暨“2021中国涂附磨具国际论坛”的通知     各会员单位及行业企业：       因受疫情影响延期的涂附磨具分会第十一届会员代表大会暨“2021中国涂附磨具国际论坛”，定于12月21日－23日在郑州举办。现将有关事宜通知如下：01   会议内容     （一）涂附磨具分会理事会换届选举 &n

第三代半导体材料发展新方向[ 11-29 15:02 ]

众所周知，采用第三代半导体材料的目的是为了提高产品效率和功率密度。大功率产品主要是Si IGBT向SiC MOSFET发展，目前在车载应用方面已经开始全面替换，其效率的提升以及重量的减轻直接提高了电动车的续航能力。而中小功率产品是Si MOSFET向GaN HEMT发展，主要应用是数据中心电源及充电适配器。 数据中心消耗的能源大概占总发电量的10%左右，采用第三代半导体材料GaN设计的电源能够使效率提高3到5个点，从而节省全国千分之三到千分之五的电力消耗。这对于碳中和有非常重要的意义。充电适配器方面，采用氮化镓可

GaN和SiC材料的技术难点和特点[ 11-29 14:59 ]

目前，第三代半导体材料GaN和SiC已经得到了市场认可和高度关注。在功率半导体的范畴，业内人士认为，除了LED发光和射频，第三代半导体材料SiC的技术难点主要在于衬底缺陷的控制。当前低缺陷密度的衬底材料主要是欧美及日本厂商生产，国内想要突破还需要相当长的一段时间。 同时第三代半导体材料SiC工艺控制难度高、产品批次性波动大导致良率偏低以及主要材料供应被垄断，甚至推导到市场价格一直居高不下，目前只限定在部分应用市场。但相比SiC更低损耗、更高效率以及高电压耐高温等一系列自身特点而言，第三代半导体材料SiC的应用已经