「一图GET」一图搞懂碳化硅——衬底篇[ 05-19 14:24 ]

 

蔚来下一代电动车将选用安森美最新SiC功率模块[ 05-18 15:07 ]

近年来，新能源汽车遭遇的技术瓶颈主要是如何进一步提升车辆的经济性。为此，全球汽车行业已向碳化硅（SiC）制成的芯片行业投资数十亿美元，皆因业界认为这类技术可以帮助他们制造高性能电动汽车。 近期，安森美（onsemi）宣布全球汽车创新企业蔚来（NIOInc.）为其下一代电动车（EV）选用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模块。这种以碳化硅为基础的功率模块能使电动车的续航里程更远、能效更高，加速度也更快。两家公司合作加快SiC技术商业化的进程，为市场带来配备先进半导体材料的电动车。 据悉，

Soitec发布8英寸SiC衬底，拓展碳化硅产品组合[ 05-12 15:30 ]

据中国粉体网讯 Soitec近日发布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圆。这标志着Soitec公司的碳化硅产品组合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圆的研发水准再创新高，可满足汽车市场不断增长的需求。 首批200mmSmartSiC™衬底诞生于Soitec与CEA-Leti合作的衬底创新中心的先进试验线，该中心位于格勒诺布尔。该批200mmSmartSiC衬底将会在关键客户中进行首轮验证，展示其质量及性能。 Soitec于2022年3月

中泰恒创携手中汇环球投入100亿美元开展碳化硅项目[ 05-11 16:26 ]

近日，中泰恒创科技有限公司与中汇环球集团有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市场”项目举行签约仪式。此次中泰恒创与中汇环球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市场方向。 据悉，中汇环球为中泰恒创提供100亿美元以上自主融合国际主权财富基金的参与和支持，主要支持中泰恒创在开发生产IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型产品，以及建立创新创业产业园。 目前，中泰恒创已落地施行的半导体项目可分为三个阶段，第一阶段收益预计100亿元，第二阶段预计580亿元，到第三阶段完成，整

中科院物理研究所成功制备单一晶型8英寸SiC晶体[ 05-10 12:22 ]

近期，中科院物理研究所在宽禁带半导体领域取得重要进展，研人员通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体。 SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成，衬底在SiC器件成本中占比高达约45%。进一步扩大SiC衬底尺寸，在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。8英寸SiC衬底将比6英寸在成本降低上具有明显优势。8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外