据中国粉体网讯近期，由江苏宏微科技有限公司、重庆大学联合牵头，泰克科技（中国）有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京海瑞克科技发展有限公司、广州电网有限公司电力科学研究院等单位联合提交的《碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法》团体标准提案，经CASA标准化委员会（CASAS）管理委员会审核，根据《CASA管理和标准制修订细则》，上述团体标准提案立项通过，分配编号为：CASA024。

《碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法》规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）开关运行条件下阈值稳定性测试方法，评价器件在承受规定动态栅极应力的条件下是否符合规定的阈值电压变化量。该方法是使器件重复承受栅极正偏压和栅极负偏压，以加速器件栅氧界面的老化并加速器件阈值电压的变化，从而衡量碳化硅MOSFET的阈值稳定性。