近20多年来，以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁带宽度，10倍于硅材料的临界击穿电场强度，3倍于硅材料的热导率，因此SiC功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合。

其中SiCMOSFET是最为成熟、应用最广的SiC功率开关器件，具有高开关速度、低损耗和耐高温等优点，被认为是替代硅IGBT的最佳选择。SiCMOSFET是一种具有绝缘栅结构的单极性器件，关断过程不存在拖尾电流，降低了开关损耗，进而减小散热器体积；并且其开关速度快，开关频率高，有利于减小变换器中电感和电容的体积，提高装置的功率密度，有效降低装置的系统成本。

国际上多家企业已经实现SiCMOSFET器件的商业化，并已逐步推出沟槽型SiCMOSFET器件。而国内的SiCMOSFET器件基本采用平面栅MOSFET结构，研发进度相对落后，工艺技术的不成熟与器件可靠性是国内SiCMOSFET器件的主要问题。