据粉体圈消息：7月30日，杭州士兰微电子股份有限公司发布对外投资进展公告，将启动化合物半导体第二期建设，即实施“SiC功率器件生产线建设项目”，拟建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，项目总投资为15亿元，建设周期3年，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能（主要产品为SiCMOSFET、SiCSBD）。

2017年12月，士兰微与厦门半导体投资集团有限公司签署了《关于化合物半导体项目之投资合作协议》，双方共同投资设立了厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（士兰明镓），在厦门市海沧区建设一条4/6吋兼容的化合物半导体生产线，总投资50亿元，其中一期总投资20亿元，二期总投资30亿元。截至2021年底，士兰明镓已完成第一期20亿元的投资，形成了每月7.2万片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的产能，其产品在小间距显示、miniLED显示屏、红外光耦、安防监控、车用LED等领域得到广泛应用。

据公告，二期碳化硅功率器件生产线建设项目已取得备案证明，是实现士兰微在电动汽车、新能源市场整体战略布局的规划之一，有利于加快实现士兰微SiC功率器件的产业化，满足日益增长的新能源领域的市场需求。