众所周知，采用第三代半导体材料的目的是为了提高产品效率和功率密度。大功率产品主要是Si IGBT向SiC MOSFET发展，目前在车载应用方面已经开始全面替换，其效率的提升以及重量的减轻直接提高了电动车的续航能力。而中小功率产品是Si MOSFET向GaN HEMT发展，主要应用是数据中心电源及充电适配器。

数据中心消耗的能源大概占总发电量的10%左右，采用第三代半导体材料GaN设计的电源能够使效率提高3到5个点，从而节省全国千分之三到千分之五的电力消耗。这对于碳中和有非常重要的意义。充电适配器方面，采用氮化镓可以减少一半的体积，目前基本成为消费者的刚需。特别是随着PD3.1的推出，未来只需要带上一台PD适配器，就可以给任何便携式电器充电。这将是一个十亿量级的市场。

业内人士认为，随着国家“碳中和”战略性基调以及对第三代半导体的持续支持，未来全球第三代半导体材料SiC消费市场中国必定一马当先。同时随着国内第三代半导体材料SiC制程开始逐渐成熟，并且已经稳定生产，相信不远可从根本上解决第三代半导体材料问题。

国产化趋势不可阻挡，第三代半导体是国家弯道超车的主要产品，随着工艺的进步，将有非常广阔的市场空间。“第三代半导体材料不仅仅在于SiC和GaN，砷化镓(GaAs)等化合物也是未来的重要力量，在当前的5G PA、电力线宽带载波等领域都将有广阔的应用。”业内人士表示。

受国家政策和半导体行业的支持推动，以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料，已经成为半导体行业发展的重要关注对象。特别是在PD快充与新能源汽车领域，第三代半导体材料GaN和SiC的使用极大地推动了产品革新与迭代。