金蒙新材料公司获悉：我国半导体新技术再次取得突破性进展——由南京大学与中国电子科技集团公司第三十八研究所合作研制而成的第三代半导体碳化硅紫外雪崩单光子探测器模现已问世。

　　其高灵敏度碳化硅紫外雪崩单光子探测器模块的成功研制，填补了我国国内在高性能固态紫外探测领域的空白，为我国进一步在高端紫外探测市场的发展奠定了基础。

　　通过实验证明，尤其是对探测芯片设计与制备、封装测试到读出电路的一体化研究，碳化硅单光子紫外探测模块现已取得了关键技术上的显著突破。其主要性能指标均已达到世界领先水平。例如：其暗电流低于0.01pA，雪崩增益高于106，室温下的暗计数率低于1.8Hz/µm2，单光子探测效率高于10%;在150ºC高温下，探测的暗计数率低于7Hz/µm2，单光子探测效率无明显变化，能够很好工作。

　　因此，其未来在导弹预警与跟踪、紫外通信、生物医疗、石油页岩气开发、高速铁路以及高压输电安全领域将具有非常巨大的应用潜力。