碳化硅生产过程主要包括碳化硅单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是碳化硅产业链衬底、外延、器件三大环节。

我们把SiC器件发展分为三个发展阶段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽车开始试水搭载SiC功率器件；2022-2023年为拐点期，SiC在新能源汽车领域的应用已经达到了批量生产的临界区域，并且充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用逐步采用SIC器件；2024-2026年为爆发期，SIC加速渗透，在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等得到广泛应用。

当前，碳化硅MOSFET制备技术要求较高，碳化硅MOSFET采用沟槽结构可最大限度地发挥SiC的特性，栅级氧化物形成技术挑战较高。平面SiCMOSFET的缺陷密度较高，MOSFET沟道中电子散射降低沟道电子迁移率从而使得性能下降，即沟道电阻上升、功率损耗上升而沟道电流下降。由于SiCMOSFET的N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活，一个关键的工艺是SiCMOSFET栅氧化物的形成，而碳化硅材料中同时有Si和C两种原子存在，因此需要非常特殊的栅介质生长方法。目前英飞凌、ST、罗姆等国际大厂600-1700V碳化硅SBD、MOSFET均已实现量产，而国内所有碳化硅MOSFET器件制造平台仍在搭建中，部分公司的产线仍处于计划阶段，离正式量产还有很长一段距离。