相比目前固态感应加热电源使用的硅MOSFET，碳化硅功率器件具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优点，且门极驱动功率小，在高温、高频和大功率场合应用有明显优势；碳化硅功率器件在电力电子产品中的应用已成为当今的研究热点，其优良的特性使固态感应加热电源的工作频率得到大幅度提升。研发频率高于1MHz的固态超高频碳化硅感应加热电源，使固态感应加热电源的工作频率范围大幅度提高，可满足半导体区熔加热、精密金属器件热处理等高端领域的应用，且能耗更小，效率更高，基本实现零污染排放。
   采用碳化硅MOSFET器件实现超高频碳化硅MOSFET逆变功率单元，每个单元功率为50KW，多个功率单元可并联组成大功率设备；固态碳化硅超高频设备工作频率在1MHz以上，大功率输出，可满足精密热处理行业使用要求；固态碳化硅超高频设备采用智能数字化逆变控制技术，使用先进的DSP+FPGA处理器架构，满足对超高频设备的控制要求。