关于石墨烯的制备和碳化硅(SiC)石墨烯的制备方法主要有两类：机械方法和化学方法。
    机械方法包括微机械分离法、取向附生法和加热碳化硅(SiC)的方法;化学方法是化学还原法与化学解理法。其中，加热碳化硅(SiC)的方法是通过加热单晶6H-SiC脱除Si，在单晶(0001) 面上分解出石墨烯片层。
    具体过程是：将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热，除去氧化物。用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之度升高至1250~1450℃后恒1min~20min，从而形成极的石墨层，经过几年的探索，Berger等人已经能可控地制备出单层或是多层石墨烯。其厚度由加热度决定，但制备大面积具有单一厚度的石墨烯比较困难。加热SiC的方法是一条以商品化碳化硅颗粒为原料，通过高裂解规模制备高品质无支持(Free standing)石墨烯材料的新途径。通过对原料碳化硅粒子、裂解度、速率以及气氛的控制，可以实现对石墨烯结构和尺寸的调控。这是一种非常新颖、对实现石墨烯的实际应用非常重要的制备方法。
    经过数十年不懈的努力，目前，全球只有少数的大学和研究机构研发出了碳化硅晶体生长和加工技术。在产业化方面，只有少数几家公司能够提供碳化硅晶片，国内的碳化硅晶片的需求大多赖于进口。目前，全球市场上碳化硅晶片价格昂贵。
    从公开资料上看，目前我国能生产碳化硅(SiC)的企业有天富热电(600509)、东方钽业(000962)和新大新材(300080)。其中天富热电(600509)是唯一能生产碳化硅(SiC)晶片的公司，其生产的碳化硅晶片可用于制备石墨烯的原料。而后两个公司生产的是刃料级的碳化硅。因此，如果采用这种方法生产石墨烯，在国内只能由天富热电提供原料。天富热电的碳化硅(SiC)晶片由公司旗下的天科合达蓝光半导体公司生产，年产能是3万片。截止2010年，公司的碳化硅晶片业务业绩盈亏持平。目前，公司没有接到碳化硅晶片的大订单。
     如果，我国加热碳化硅(SiC)的方法能研究成功并产业化，那么公司的碳化硅晶片业务或将迎来爆发性增长。