如果问近期哪种工业原材料最受瞩目？碳化硅材料无疑是最炙手可热的一种。以SiC碳化硅为代表的第三代半导体具有宽禁带、高热导率，高击穿场，高饱和电子漂移速率，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，因此碳化硅成为制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料。

据某企业征信机构网站资料显示，华为旗下全资子公司哈勃科技投资有限公司，近日投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%（位列第二股东）。山东天岳是一家以碳化硅晶体衬底材料生产研发为主的国内第三代半导体材料企业。该企业成立2011年12月，是全球第4家碳化硅衬底材料量产的企业，同时具备了导电型和高纯半绝缘两种工艺，尺寸覆盖2-6英寸。2016年，山东天岳“宽禁带功率半导体产业链项目”被国家发展改革委纳入《国家集成电路“十三五”重大生产力布局》项目。

有业内人士认为“得碳化硅者得天下”！甚至可以说，无碳化硅难5G。我国及全球5G网络正在大规模建设中。大数据传输、云计算、AI技术、物联网，包括下一步的能源传输，对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求，大功率芯片的市场需求非常大。碳化硅的综合性能较硅材料可提升上千倍，被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”，是光电子和微电子等产业的“新发动机”。

以未来长远眼光看，这次华为布局投资碳化硅半导体公司可视为其在材料领域中进行战略投资重要的一环，意义非凡。我们期待未来碳化硅材料实现量产后，将打破国外垄断，推动国内5G芯片技术和生产能力的提升。