在当前科技立异、科技强国的年代，以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体资料的研讨和开发现已得到世界各国的高度重视。

  不久前美国总统奥巴马两次拜访美国碳化硅半导体的领军企业——美国科锐公司，并称其将引领美国的制造业完成清洗动力革新。在此之前更是亲自建议建立美国碳化硅半导体工业联盟，设立专项资金支撑全工业链疾速打破开展。1.4亿美元的总支撑额用于提升美国在该新兴工业方面的国际竞争力。同时，日本政府也将碳化硅半导体技能列入“辅弼计划”，认为将来日本50%上的节能将由碳化硅完成。

  同样在中国，以碳化硅半导体材料为代表的新材料的研讨和开发，也已成为科技强国的重要组成部分。但因为中国在第一代、第二代半导体领域的研讨和开发严峻落后于欧美日等兴旺国家和地区，每年都要进口2000亿美元以上的电子器材，一向未能完成打破和赶超。

  因为碳化硅半导体衬底资料可制造大功率、高热导率的高频率微波器材、功率器材和照明器材，具有十分显著的性能优势和无穷的工业股动效果，欧美日等兴旺国家和地区都把开展碳化硅半导体技能列入国家战略，投入巨资支撑开展。