由北京天科合达蓝光半导体有限公司和中科院物理所共同起草的两项碳化硅国家标准已成功发布，并将于2015年9月1日开始实施。　　
该两项标准分别为：　　
1、《碳化硅单晶抛光片》，标准号GB/T 30656—2014,本标准规定了4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单（或合同）内容。本标准适用于4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体LED及电力电子器件的外延衬底。　　
2、《碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法》，标准号GB/T 31351-2014,本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。　　
该两项标准填补了碳化硅半导体材料在该技术领域的标准空白，标准水平达到同类国际标准的先进水平，标准的实施将规范我国碳化硅半导体材料行业，从而促进该行业的健康有序发展，进而提升我国碳化硅半导体企业在国际市场上的影响力。另外该两项标准也属于《北京市重点发展的技术标准领域和重点标准方向》中的新材料标准范畴，因此标准的实施也将有助于北京市在碳化硅产业形成优势，占领竞争制高点。