碳化硅器件性能非常突出，但其生产过程可谓是困难重重。其产业链贯穿了材料、芯片设计、制造工艺等各个环节。相对传统硅基技术而言，宽禁带功率器件由于采用了SiC半导体材料，在各关键技术环节也会遇到新的问题与挑战。

SiC半导体功率器件产业链

从技术的角度来说，与硅基功率器件制作工艺不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，需要在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，最后在外延层上制造各类器件。传统的碳化硅外延基于高品质碳化硅单晶衬底，以实现晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位错、层错等）。

即是说，制备出性能优良的碳化硅单晶衬底是产业链上极为关键的一环！

衬底是功率器件的基础。由于目前Si基功率器件生产厂商的大部分生产线支持4英寸以上的晶圆，因此4、6英寸及以上SiC衬底技术的成熟是SiC功率器件在所有重要领域大规模应用的前提条件。