去年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”明确提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。

作为第三代半导体代表材料，碳化硅具有优良的物理和化学性能。

力学性能：高硬度（克氏硬度为3000kg/mm2），可以切割红宝石；高耐磨性，仅次于金刚石。

热学性能：热导率超过金属铜，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散热性能好，对于大功率器件非常重要。

化学性能：耐腐蚀性非常强，室温下几乎可以抵抗任何已知的腐蚀剂。SiC表面易氧化生成SiO2薄层，能防止其进一步氧化，在高于1700℃时，这层氧化膜熔化并迅速发生氧化反应。SiC能溶解于熔融的氧化剂物质。

电学性能：4H-SiC和6H-SiC带隙约是Si的3倍，是GaAs的2倍；其击穿电场强度高于Si一个数量级，饱和电子漂移速度是Si的2.5倍。4H-SiC的带隙比6H-SiC更宽。

总之，碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体，它具有热导率高(比硅高3倍)、与GaN晶格失配小(4%)等优势，非常适合用作新一代发光二极管（LED）衬底材料、大功率电力电子材料。