碳化硅器件在汽车领域应用优势

文章出处：网责任编辑：作者：人气：-发表时间：2018-10-31 13:58:00【大中小】

在我国，机动车污染已成为空气污染的重要来源，是造成灰霾、光化学烟雾污染的重要原因，节能减排已成为汽车业发展的重大课题。因此，大力发展新能源汽车是实现节能减排，促进我国汽车产业可持续发展的战略性措施。

来源：网通社

2014年5月，丰田官方发布信息，将在2020年推出一套全新采用碳化硅半导体技术的混动系统。网通社从欧洲媒体GoAuto了解到：新一代普锐斯将率先搭载该套混动系统，其油耗将相应降低10%，至3.33L。

目前，EV(纯电动汽车)和HEV(混合动力汽车)的电力驱动部分主要由硅(Si)基功率器件组成。随着电动汽车的发展，对电力驱动的小型化和轻量化提出了更高的要求。然而，由于材料限制，传统Si基功率器件在许多方面已逼近甚至达到了其材料的本身极限，因此，各汽车厂商都对新一代碳化硅(SiC)功率器件寄予了厚望。

以碳化硅为代表的第三代半导体，与单晶硅和砷化镓等传统半导体材料相比，具有明显的优势，如高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能、高化学稳定性、抗辐射性强等，决定了碳化硅在诸多领域有着不可替代的地位。主要如下：

SiC具有高热导率(达到4.9W/cm•K)，是Si的3.3倍。因此，SiC材料散热效果好，理论上，SiC功率器件可在 175℃结温下工作，因此散热器的体积可以显著减小，适合用来制作高温器件。

SiC具有高的击穿场强，其击穿电场是Si的10倍，因而适用于高压开关，最大功率处理能力强，使得SiC材料适于制作大功率、大电流器件。

SiC具有高的饱和电子漂移速率，其数值是Si的2倍，在高场下几乎不发生衰减，其高场处理能力强，因此，SiC材料适用于高频器件。

SiC单晶在制备技术上也是第三代半导体材料中最成熟的。因此SiC是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。

众所周知，高功率密度、高压、大电流IGBT功率模块是逆变器里最核心的部件，它的功率密度越高，电力驱动系统的设计则越紧凑，在相同体积下就能发挥更大功率。由于SiC器件电流密度高(如 Infineon 产品可达 700 A/cm2)，在相同功率等级下，全SiC功率模块的封装尺寸显著小于SiIGBT功率模块，大大减小了功率模块的体积。

另一方面，由于所有的功率转换都由IGBT执行，所以器件本身没有更多的空间来散热，也不能通过增加风扇等其他方式散热，这就要求IGBT本身有很好的散热功能。理论上，SiC功率器件可在175℃结温下工作，因此散热器的体积可以显著减小。

此外，与传统硅IGBT相比，SiC器件的导通电阻较小导通损耗下降;特别是SiCSBDs，具有较小的反向恢复电流，开关损耗大幅降低，大幅提高系统效率。

综上所述，碳化硅器件在电动汽车中的应用潜力巨大。SiC器件可以显著减小电力系统的体积、重量和成本。提高功率密度和系统效率。使其成为EV和HEV电力驱动装置中的理想器件，也将为电动汽车的动力驱动系统带来革命性的改变。

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