Wolfspeed宣布斥巨资扩产碳化硅晶圆产能
9月9日,碳化硅半导体技术全球领导者Wolfspeed宣布将在北卡罗来纳州投建200mm(8吋)碳化硅晶圆项目,一期投资13亿美元,预计2024年投产;二期预计投资48亿美元,到2030年投产,投资目标是使Wolfspeed达到目前产能的十倍。
Wolfspeed首席执行官GreggLowe表示,碳化硅芯片能够在500华氏度以上运行,电压大约是传统硅片可以处理的10倍,基于碳化硅的芯片已在电动汽车中找到一席之地,它们用于逆变器——该组件的作用是将电力从汽车电池传输到使车轮转动的电机。Lowe说,“高功率应用意味着,当你使用它时,你会浪费更少的能源,这意味着电动汽车使用碳化硅后,行驶里程可增加5%到15%”。另外,基于碳化硅的芯片还可用于加速电动汽车充电,Lowe表示,节能带来了卓越的快速充电能力,因为它们可以传输更多的电力。
Wolfspeed的自动化工厂采用自己开发的生长炉,碳化硅晶锭在4500华氏度的高温下生长制备,然后再被切割成晶片并将其制成芯片。而200毫米碳化硅晶圆比150毫米晶圆大1.7倍,每个晶圆可以生产更多芯片,最终降低设备成本。这些功率器件和射频器件产品,除了电动汽车和快速充电,还适用于5G、可再生能源和存储以及航空航天和国防等各种应用。
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