金蒙新材料小编从相关渠道了解到：SiC电力电子器件在牵引领域的应用现状及SiC电力电子器件在牵引领域应用面对的挑战。目前，宽禁带半导体SiC是最有发展前途的电力电子材料，满足牵引变流器轻量化、小型化、高效化的发展趋势。
  电牵引技术的不断发展要求电力电子器件具有更高的功率密度、更高的工作温度、更小的功率损耗、更快的开关速度。目前，以碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体电力电子器件已经实现商品化，在牵引领域表现出巨大的潜力。SiC材料较大的禁带宽度(3.26eV)使其相比于Si材料(1.12eV)具有很大的优势：本征载流子浓度低20个数量级，临界击穿电场高10倍，热导率高3倍，电子饱和漂移速率高1倍等。这些特性使得SiC电力电子器件在高温、高频及阻断电压等方面突破原有Si材料的极限。
目前，SiC电力电子器件已经在600V-1700V中低压领域实现了产业化，Cree、Rohm、Infineon等公司可批量供应最大电流50A的SiC SBD及MOSFET产品，其应用已显著提高系统工作频率及整机效率。机车牵引、高压直流输变电等领域目前正小批量试用高压SiC器件，系统性能提升明显。SiC电力电子器件在牵引领域应用正由样机试验试制阶段向批量化生产和工程化应用靠近。