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- 碳化硅电力电子器件发展中的难题分析[ 05-18 16:25 ]
- 1.碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一种肉眼都可以看得见的宏观缺陷，在碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前，大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。尽管优质晶片的微管密度已达到不超过15cm-2 的水平。但器件制造要求直径超过100mm的碳化硅晶体，微管密度低于0.5cm-2 。 2.外延工艺效率低。碳化硅的气相同质外延一般要在1500℃以上的高温下进行。由于有升华的问题，温度不能太高，一般不能超过1800℃，因而生长速率较低。液相外延温度较低、速率较高，但产量较低。 3.掺杂工艺有特殊要求。如用扩散
- 碳化硅的四大应用领域[ 05-16 10:52 ]
- 碳化硅主要有四大应用领域。
- 国家严控环保 碳化硅企业面临严峻挑战[ 05-16 10:38 ]
- 近两年整体市场的调整性，造成一些中小型企业减产、停产。
- 高性能半导体器件的新材料——碳化硅[ 05-15 16:06 ]
- 近二十年来碳化硅半导体材料开始被行内人士重视.
- 碳化硅在耐火材料方面的优势[ 05-13 16:16 ]
- 通常碳化硅用作耐火材料的数量大于用作磨料。
