据了解，AMB基板铜层结合力在16N/mm~29N/mm之间，要大幅高于DBC工艺的15N/mm，更适合精密度高的陶瓷基板电路板，这一特性也使得AMB基板具备高温高频特性，导热率为DBC氧化铝的3倍以上，且使用过程中能降低SiC约10%的热阻，能提升电池效率，对SiC上车并改善新能源汽车应用有明显的提升效果。

不过，AMB工艺也还存在一些短板，其技术实现难度要比DBC、DPC两种工艺大很多，对技术要求高，且在良率、材料等方面还有待进一步完善，这使得该技术目前的实现成本还比较高，“AMB被认为是SiC的最佳搭配方案，不过目前AMB基板的成本大约是DBC的3倍左右，这是阻碍它发展的重要因素。”业内人士进一步指出，“随着SiC不断在汽车上取得突破，AMB有望借助新能源汽车的发展，获得新的发展机遇，而且会随着新能源汽车产销量的不断突破而加快渗透。”

AMB陶瓷基板对SiC芯片的配套优势明显，此外在光伏、风电、轨道交通等领域，也对AMB有着巨大需求，市场潜力明显。