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碳化硅衬底领域国产替代成效显著

文章出处:半导体材料与工艺设备网责任编辑:作者:MRC人气:-发表时间:2022-09-17 15:03:00【

碳化硅作为第三代半导体材料的主要代表之一,其技术发展也至关重要。虽然国内碳化硅的技术水平与国外有所差距,但国内企业在2-6英寸的半绝缘型和导电型碳化硅衬底领域均已实现部分国产替代,8英寸晶圆也在研制过程中,国产替代进程讲持续突破。

碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分,分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%,由于具备晶体生长过程繁琐,晶圆切割困难等特点,碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。目前高质量衬底的应用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供应商,CR3市场占有率达到80%以上,国内厂商为代表的衬底厂商的产品良率、品质和生产效率还有一定差距,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件,随着下游需求爆发,2022-2026年SiC器件的市场规模将从43亿美元提升到89亿美元,年复合增长率为20%。

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