碳化硅作为第三代半导体材料的主要代表之一，其技术发展也至关重要。虽然国内碳化硅的技术水平与国外有所差距，但国内企业在2-6英寸的半绝缘型和导电型碳化硅衬底领域均已实现部分国产替代，8英寸晶圆也在研制过程中，国产替代进程讲持续突破。

碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%，由于具备晶体生长过程繁琐，晶圆切割困难等特点，碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。目前高质量衬底的应用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供应商，CR3市场占有率达到80%以上，国内厂商为代表的衬底厂商的产品良率、品质和生产效率还有一定差距，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件，随着下游需求爆发，2022-2026年SiC器件的市场规模将从43亿美元提升到89亿美元，年复合增长率为20%。