金蒙新材料公司从相关渠道获悉，天科合达与中科院专家合作研究，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底，并且形成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线。

  众所周知，硅和锗构成了第一代半导体材料，直到现在我们使用的半导体产品大多依然是基于硅材料的。随后，砷化镓、磷化铟逐渐成为第二代半导体材料被用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，从而被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。

  目前，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料通常又被称为宽禁带半导体材料或高温半导体材料。碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。