近30年的SiC外延系统演变

Epigress热壁式SiC外延生长系统

•单晶片2”直径

•手动装载和卸载外延片

•过程手动控制

•基于硅烷(SiH4)的工艺–不含氯

•增长率限制在10微米/小时左右

Aixtron暖壁系统

•多晶片6”直径(8”)

•自动加载和卸载外延片

•配方控制过程

•基于氯硅烷的工艺

•(TCS)增长率通常为30微米/小时

•主要用于>30um的外延层

Epiluvac集群式热壁系统

•最大直径为8英寸的单晶片室

•腔室可以组合在一个集群设备中，用于不同的掺杂层（n、p型）

•腔室之间的晶片转移发生在空闲温度和真空下。

•外延片的自动加载锁定加载、预热、冷却和卸载

•通过配方控制过程

•基于氯硅烷(TCS)的工艺证明生长速率超过100um/hr