金蒙新材料公司从新材料在线行业网站获悉：近日，中科院物理研究所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底。

　　众所周知，碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于碳化硅和氮化镓的晶格失配小，碳化硅单晶是氮化镓基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对碳化硅单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸(150毫米)产品，预计市场份额将逐年增大。

　　中国科学院物理研究所专家团队通过长期以来的摸索和实验，特别是通过不断的自主创新，获得了关于碳化硅单晶生长设备、晶体生长和加工技术等一整套自主知识产权。为将来此类产品的国产化大批量产打下坚实基础。