理想汽车创始人、董事长兼CEO李想曾表示，碳化硅电驱系统是理想汽车高压纯电平台的四个核心技术之一。

日前，理想汽车重磅布局碳化硅（SiC）芯片，功率半导体研发及生产基地日前落户苏州。

此次落户的理想汽车功率半导体研发及生产基地由理想汽车与国内半导体龙头企业三安光电共同出资组建苏州斯科半导体有限公司，主要专注于第三代半导体碳化硅车规芯片模组的研发及生产。

早在1月25日，北京车和家和三安光电宣布共同设立经营一家合资公司，将主要从事新能源汽车SiC芯片和模块的研发，这家合资公司可能就是2022年3月成立的苏州斯科半导体。

该项目将于2022年6月中旬启动厂房建设，年内竣工后进入设备装调，预计2023年5月启动样品试制，2024正式投产后，将逐步形成年产240万只半桥生产能力。

在超级快充技术和碳化硅电驱方面，据此前报道，理想正在自研480千瓦级别的超充平台，其中包括整车850V以上的变压平台，以及基于碳化硅的电驱动系统等。

另外，据车东西报道，理想汽车成立了一家新公司，业务范围包含芯片设计，名为四川理想智动科技有限公司。这很有可能意味着，理想汽车可能正在布局汽车芯片设计，并且未来在旗下车型上用上自研芯片。至于造什么芯，车东西认为，SiC芯片有一定的可能性，同时也能造自动驾驶芯片。