Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件
近期,Microchip宣布扩展其SiC产品组合,推出业界最低导通电阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高额定电流SiCSBD。
Microchip分立产品业务部副总裁LeonGross表示:我们新的3.3kVSiC功率产品系列使客户能够轻松、快速、自信地转向高压SiC,并受益于这种令人兴奋的技术相对于基于硅设计的诸多优势。”
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- Green silicon carbide demand to stay weak-Interview with Zunkui Hu-General Manager-Shandong Jinmeng New Material Co., Ltd. – Asian Metal
- 绿碳化硅需求将持续低迷-专访山东金蒙新材料股份有限公司-总经理-胡尊奎-亚洲金属网
- 国际知名材料制造商圣戈班公司考察团 来金蒙新材料公司考察交流
- 最新碳化硅价格行情
- 金蒙碳化硅保温材料:科技绿能,温暖每一寸空间,碳化硅
- 碳化硅的应用领域有哪些?
- 常见的结构陶瓷及其应用领域盘点
- 光电储能领域中应用优势明确,碳化硅器件渗透率快速提升
- 电动车领域新应用不断出现,汽车厂商积极启用碳化硅战略
- 高压高功率领域优势突出,SIC功率器件市场广阔
最新资讯文章
您的浏览历史
