SiC反向恢复时间与Si MOSFET相比如何？
SiCMOSFET与其硅对应物一样，具有内部体二极管。体二极管提供的主要限制之一是不希望的反向恢复行为，当二极管关断同时承载正正向电流时会发生这种情况。因此，反向恢复时间(trr)成为定义MOSFET特性的重要指标。图2显示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之间的比较。可以看出，SiCMOSFET的体二极管非常快：trr和Irr的值小到可以忽略不计，能量损失Err大大降低。
下一篇：碳化硅陶瓷材料的防弹原理是什么上一篇： 碳化硅如何实现比硅更好的热管理？
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 白刚玉段砂用于精密铸造品质得以体现
- 绿碳化硅微粉的特点
- 国内碳化硅功率器件离正式量产还有一段距离
- 国内碳化硅外延的难点
- 国内碳化硅衬底的难点
- 碳化硅功率器件的性能优势
- 三种生长SiC单晶用SiC粉体制备方法的优缺点
- 碳化硅晶圆生产用高纯碳化硅粉制备方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圆生产中的应用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封装技术和散热技术介绍
最新资讯文章
您的浏览历史
